关键字
- 东芝：1Gb容量MRAM即将完成
- 三星、海力士携手开创下一世代内存芯片
- NEC：MRAM的频率已达250MHz 和SRAM速度相当
- 尔必达首席技术官指出DRAM用晶体管技术存在的
- 垂直磁化不是唯一答案 日立改进自旋注入MRAM的
- 东芝提出自旋注入方式MRAM中缩小bit内误差的新
- Grandis在演讲中介绍“自旋注入MRAM优于PRAM的
- 日本产综研开发出采用垂直磁化技术的自旋注入
- 东芝开发出Gbit MRAM专用新型TMR元件
- 密度提升20倍 IBM和TDK开启MRAM研发四年计划
- IBM磁性内存研发转变 携手日本TDK合推STT-RAM
- 新兴存储技术突破多 大规模商用待考
- 非易失性内存再现曙光
- 中国发布新型MRAM原型器件
- 磁性随机存取内存（MRAM）技术结构剖析
- 飞思卡尔量产MRAM亮相 以高速读写为卖点
- 飞思卡尔研发4Mb MRAM即将小量出货
- 新的写入技术使MRAM变得更可行
- 200MB/s！东芝与NEC发布最快速MRAM
- ReRAM和MRAM追赶接近实用化的PRAM
去年八月，我们曾经报道了IBM与TDK公司合作开发MRAM（Magnetoresistive RAM 磁性随机存储器）存储的消息，并...
更新时间: 2008-06-04 09:43:23
关键词： MRAM 东芝
三星与海力士合作开发STT-MRAM
更新时间: 2008-02-04 11:42:51
关键词： MRAM Hynix 海力士 三星
NEC于11月30日宣布，业界最高的250MHz MRAM已成功通过了实验认证。
更新时间: 2007-12-03 10:40:03
关键词： NAND 非易失性 MRAM
尔必达内存（Elpida Memory）执行董事、首席技术官安达隆郎（隶属科技＆发展部）在2007年11月12日于东京举行...
更新时间: 2007-11-14 10:03:01
关键词： 尔必达 Elpida DRAM 瓶颈 隐患 PRAM MRAM RRAM
日立制作所和日本东北大学在于“52nd Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials”上，发布了...
更新时间: 2007-11-13 10:02:46
关键词： MRAM 日立
东芝在美国佛罗里达州坦帕召开的磁记录相关国际会议“52nd Annual Conference on Magnetism and Magnetic M...
更新时间: 2007-11-13 09:57:25
关键词： MRAM 东芝
事内存技术开发等业务的美国Grandis公司在“第52届磁学与磁性材料年会的特邀演讲中，对目前正在开发中的自旋...
更新时间: 2007-11-13 09:53:09
关键词： 对比 PRAM MRAM
日本产业技术综合研究所（产综研）开发出了组合运用自旋注入反磁化（自旋注入）方式以及垂直磁化技术的CPP（...
更新时间: 2007-11-12 09:45:13
关键词： 磁化 垂直 GMR MRAM
东芝开发出了有助于实现1Gbit以上磁阻内存MRAM的新型TMR元件。开发时，组合运用了旨在实现微细化的自旋注入...
更新时间: 2007-11-09 09:43:46
关键词： TMR MRAM 东芝
IBM和TDK宣布，将开展一个为期四年的高密度MRAM（Magnetic Random Access Memory，磁性随机存储器）的研发项...
更新时间: 2007-08-21 18:22:51
关键词： DRAM PRAM MRAM TDK IBM
IBM与日本TDK达成联合开发所谓STT-RAM。IBM负责非挥发性内存研究高级经理盖拉尔说，在缩小MRAM芯片时，需要...
更新时间: 2007-08-21 10:32:04
关键词： STT-RAM IBM 磁性 MRAM 日本 盖拉尔 TDK 相变内存 工艺 流会
最近，目前主流的DRAM、SRAM和FLASH等存储技术一定感觉到既有近忧，又有远虑，因为新型存储技术PRAM(相变存...
更新时间: 2007-08-09 10:43:33
关键词： 存储技术 闪存 fram MRAM 器件 随机存储器 磁性 待考 大规模
“MRAM有可能替代DRAM和闪存”。2000年前后，在发表利用磁阻效应的非易失性内存MRAM的市场投放计划时，以IB...
更新时间: 2007-07-30 12:25:32
关键词： FeRAM DRAM MRAM 内存
中国发布新型MRAM原型器件
更新时间: 2007-03-12 12:44:29
关键词： MRAM
在新一代内存技术开发竞赛中，飞思卡尔半导体（Freescale，原摩托罗拉半导体分部，后分拆独立）已实现了磁性...
更新时间: 2006-10-31 12:03:20
关键词： MRAM
美国飞思卡尔半导体（Freescale Semiconductor）在2006年7月24日（当地时间）于美国开幕的该公司研讨会“20...
更新时间: 2006-07-27 14:56:40
关键词： 飞思卡尔 Freescale MRAM 量产
飞思卡尔研发4Mb MRAM即将小量出货
更新时间: 2006-07-13 11:58:52
关键词： 飞思卡尔 MRAM Freescale
新的写入技术使MRAM变得更可行
更新时间: 2006-02-20 15:39:43
关键词： MRAM
东芝与NEC发布最快速MRAM
更新时间: 2006-02-09 22:15:26
关键词： MRAM
ReRAM和MRAM追赶接近实用化的PRAM
更新时间: 2006-02-08 22:58:30
关键词： PRAM OUM ReRAM MRAM
