据悉，由东京大学教授十仓好纪领导的、日本产业技术综合研究所下设的强相关电子技术研究中心（CERC），正在就下一代半导体内存RRAM（电阻RAM）的CER效应展开研究，以便弄清其工作机理。CER效应可能与利用半导体常识无法解释的某种作用存在一定的关系。
CER效应是指，材料电阻会因施加的电压脉冲而发生巨变（大约在1万～10万倍之间）的现象。停止施加电压脉冲后，可维持变化后的电阻值。利用这种现象而形成的非挥发性内存就是RRAM。十仓领导的研究小组认为，这种大范围的电阻变化可能缘于一种名为“强相关（strongly correlated）”的现象。强相关是指，某种材料不经过半导体而在绝缘体与金属之间进行迁移。激发这种现象的就是电压脉冲。它不同于普通的半导体理论，即使有载流子，也未必形成低电阻。在充满载流子的状态下，由于电子不流动，从而就会形成高电阻。对于有关这种机理的最新研究成果，产综研计划在《日经微器件》杂志主办的“日本第3届半导体内存研讨会”上予以公布（http://techon.nikkeibp.co.jp/seminar/050126.html）。
