在1月26日6～27日召开的“第3届半导体内存研讨会”（主办：《日经微器件》）开幕第2天的演讲中，演讲者就闪存、移动RAM及新型非挥发内存等手机内存，展开了热烈讨论。
其中，与新型非挥发RRAM的工作机理相关的日本产业技术综合研究所的演讲，引起了与会者的高度关注。发表演讲的是产综研强相关电子技术研究中心主任研究员泽彰仁。该演讲者就RRAM工作原理利用的现象——CER现象（材料电阻会因施加的电压脉冲而发生巨变的现象）的机理，发表了最新研究成果。
泽彰研究小组的着眼点是：CER是名为“强相关（Strongly Correlated）电子类”材料中常见的现象。强相关电子类材料是一类材料的总称，这类材料具有电子大范围相互强烈作用的特点，电气传导特性与普通金属及半导体不同。NiO及PrCaMnO等金属氧化物便是其中一例。泽彰及其同事推测CER现象是强相关电子材料与金属电极间的界面发生电阻变化而生产的，对在金属电极上三层叠夹PrCaMnO的元件施加电压，检测了这时的电阻变化。结果表明，电阻变化依靠的是电压的施加方向，泽彰在推测CER现象产生的原因时说：“通过向界面态（Interface State）注入电荷，强相关电子材料与金属电极间的界面所形成的肖特基势垒（Schottky barrier）的高度便会发生变化”。另外，他还表示将进一步进行详细验证，研究为何可以长时间保持被捕获的电荷，以及非挥发性内存的功能得以实现的机理。
泽彰的演讲结束后，出现了与会者争相提问的场面。另外，研讨会闭幕后，许多与会者仍围着泽彰进行讨论，对其演讲关注之高可见一斑。韩国三星电子等公司正在开发RRAM，在研讨会第一天（26日），该公司就RRAM的开发进展发表了演讲。
