飞思卡尔量产MRAM亮相 以高速读写为卖点

美国飞思卡尔半导体（Freescale Semiconductor）在2006年7月24日（当地时间）于美国开幕的该公司研讨会“2006年飞思卡尔技术论坛（Freescale Technology Forum 2006，FTF 2006）”上，现场演示了6月初开始量产的4Mbit MRAM。

在微处理器“ColdFire MCF5235”的测评主板上配备了MRAM。在笔尖所指处，并排安装有2个MRAM。容量均为4Mbit。

此次演示的内容旨在宣传MRAM的读写周期时间之快。尽管周期时间为35ns，比不上DRAM，不过“与可同样分类为非挥发性内存的闪存比较，周期时间则短得多”（展示解说员）。演示的具体过程是，在飞思卡尔微处理器“ColdFire MCF5235”的测评主板上配备MRAM，通过与此相连的PC频繁地执行向MRAM的写入和读出。

量产MRAM的截面照片

在实际演示中，反复执行1亿次的读写循环，只用大约25秒钟即告完成。“我们希望展示其周期时间是多么的快。在进行软件处理时，作为演示系统的周期时间比35ns长。不过MRAM的物理性周期时间确实是35ns”（展示解说员）。

据介绍，读出和写入的周期次数比闪存大幅提高

对于下次将如何增加内存容量以及设计规则细微化等今后的开发路线图，飞思卡尔避而不谈，只表示：“还不到可以透露的阶段。”