飞思卡尔控告茂德内存技术侵权

ZDNet 存储时代频道 更新时间:2006-12-12 作者:Zxm(整理) 来源:

本文关键词:飞思卡尔 茂德 内存

根据彭博信息(Bloomberg)报导,总部位于美国德州的半导体大厂飞思卡尔(Freescale)上周向美国德州Sherman联邦法院控告台湾第三大DRAM厂商茂德(5387)侵犯飞思卡尔3项专利权,并提出现金赔偿要求,对此,茂德表示,尚未收到飞思卡尔的行文通知,待接获后将做进一步处理,目前不予置评。

飞思卡尔要求法院下令禁止茂德使用这些受专利保护的技术,并希望能获得现金赔偿,但实际要求金额尚未确定,目前该案在德州联邦法院的案件编号为06cv491。飞思卡尔指控茂德侵犯的美国专利权编号为USP5,367,494、USP5,467,455、与USP5,476,816,分别是和内存存取时间、内存数据处理系统与动态总线,以及和内存芯片生产用金属层侵蚀相关的专利权技术。

近来有关内存厂侵权的案件有增多的情况,连韩厂三星电子(Samsung Electronics)也被美国半导体厂On Semiconductor在德州联邦法院指控侵犯专利技术,加拿大IC设计业者也指控美光(Micron)、力晶、茂德、茂硅等厂商侵权。

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