美国加州时间4月25日，英特尔（Intel）和美光科技（Micron Technology）宣布它们的合资公司IM闪存科技（IM Flash Technologies）已经制成了行业领先的50nm多级单元（mlc，Multi-level Cell）NAND闪存的工程样品。
这款全新的50nm MCL NAND闪存拥有世界级的核心（Die）和芯片尺寸，核心密度高达16Gb，是目前该公司正在出货的4Gb单级单元（SLC，Single-level Cell）产品的四倍。
英特尔和美光的300mm闪存工厂网络用了一年的时间完成了50nm MCL NAND闪存产品的开发和样品制造工作，它们的下一个任务是40nm以下的NAND闪存。
“仅仅用了一年，美光和英特尔就开发出了业界领先的mlc NAND闪存，该产品现在已经在工厂网络中生产并提供给我们的客户。”美光CEO Mark Durcan说，“我们为和英特尔合作所取得的成果感到骄傲，我们希望在下一年里会有更多的里程碑。”
“我们和美光的合资公司在开发业界领先的架构时，所取得的进步在第一年里就超过了我们的期望。”英特尔NAND产品群组副总裁和总经理Randy Wilhelm说，“去年7月，英特尔和美光发布了业内第一款50nm SLC NAND的工程样品。业内最先进的50nm SLC架构体现了我们在开发和生产中的密切关系。”
美光位于博伊西（Boise，美国爱达荷州首府）、爱达荷州（Idaho）、弗吉尼亚州马纳萨斯（Manassas, Va.）的工厂开始NAND闪存的生产之后，IM闪存合资公司自2月份起也随之开始在犹他（Utah）州Lehi的工厂生产300mm晶圆。此外，美光最近宣布了和新加坡（Singapore）的合作关系，正计划在当地建造一座新的IM闪存工厂。
