根据市调机构iSuppli的报告，全球NAND闪存走出了第一季度的谷底，在第二季度（4~6月）明显回温，市场规模和前一季度及2006年同期相比增长了14%和10%，总额超过了30亿美元。其中三星电子（Samsung Electronics）仍然掌控全球着NAND闪存市场的主导权，以销售额14亿美元的成绩拿下45.9%市场占有率。iSuppli并认为，鉴于厂商纷纷调节产能以及三星日前产能中断的影响，市场供给将更为吃紧，有助于价格上涨，第三季度市场状况将会进一步复苏。
三星第二季度表现抢眼，市场占有率增加了1.8个百分点，达到45.9%，拉大了与对手之间的差距，与排名第二的东芝（Toshiba）市场占有率27.5%相比，两者相差18.4个百分点。iSuppli分析师Nam Hyung Kim表示，三星强劲的势头主要是因为出货量增长所致，拜苹果（Apple）iPhone和iPod等其他消费电子产品需求旺盛所赐，三星第二季度位（bit）增长率达到了11%，反观东芝受限于制程转至56纳米技术，第二季度位增长率仅为2%；此外，排名第三的海力士（Hynix）同样受到制程问题影响，该公司导入60纳米技术出现了漏洞，导致该季出货量（以位为计）减少了4%。
iSuppli指出，由于NAND闪存厂商调节产能、减缓了产量增长，加上部分厂商面临制程转换的困难，使得NAND闪存供给在第二季度转向吃紧，平均售价（ASP）和厂商销售额因此攀升，市场正在逐渐复苏当中，预期厂商下半年的营运成绩将会获得改善。
值得一提的是，分析师原预期NAND闪存价格涨势可能会因为厂商加速增产而在8月告一段落，然而受到三星NAND闪存厂在8月初因停电造成生产线停摆，也为供需情况带来新的转机。
虽三星强调对于产能不会造成重大影响，然而iSuppli认为受损产能约占三星当月10%的产能比重，约占第三季度全球NAND闪存产能的1%，如此将使三星和其同业价格上升，市场供给受限，有助于ASP再涨，预期供给吃紧的情况将会延续至8月底。
iSuppli并预期，第二季度面临制程转换问题的东芝和海力士，产能将在第三季度呈现大幅跃升，随着东芝顺利导入56纳米制程，估计第三季度出货量将增加逾3成，而海力士则因逐渐转至12英寸晶圆产线，产能可望跃升一倍。
