富士通于2007年一月发表了一项Terabit/in2的技术，对于未来2.5寸硬盘容量的扩充有突破性进展。当时主要是提出单轴对齐以间距25纳米的纳米孔排列纹路的碟片，以达到Terabit/in2的记录密度；而现在富士通建立创新的制造过程，成功地将每个独立的位元记录在纳米孔排列纹路的碟片上，而且达到将磁头飞行在旋转的磁片上，并且能对每一个纳米孔作基本的读写。
具有纳米孔纹路的碟片是利用现有的加热技术，以纳米平板压印、阳性氧化物和钴电极形成100纳米间距密度的纳米孔纹路碟片，适合于现阶段垂直磁记录(perpendicular magnetic recording，PMR)技术，并号称可更充分发挥PMR技术的优点。
富士通美国分公司副总经理David James表示，随着市场对于高容量硬盘的需求持续提高，特别是在小尺寸的2.5寸硬盘上；Terabit/in2的存储密度将使内建二个碟片的2.5寸硬盘，实现1.2TB的容量。
