根据最新来自美国费城大学科研人员的最新报告显示，他们目前发现一种全新的纳米级别非易失性存储技术，这项技术比目前的NAND flash闪存芯片存储技术要快上1000倍，而且数据的存储年限可以达到10万年，而且有机会可以将容量发展到TB级别。

    这项技术如果能够完全排除成本和可靠性方面的技术问题的话，将会非常有机会成为目前NAND flash闪存芯片的替代产品。

    据介绍，相变存储技术（phase change memory）基于纳米基线级别的锗（germanium）锑（antimony）碲化物（telluride）原料，并采用低温纳米金属作为化学反应催化剂自然形成纳米基线，其中纳米基线的直径在30～50纳米，长度10微米。

    不过虽然在技术和存储密度容量，存储性能方面都能够成为目前NAND flash最有力的替代者，不过这项技术如果真正转换为商业化量产消耗品的话，估计还要8～10年时间。