这项技术如果能够完全排除成本和可靠性方面的技术问题的话，将会非常有机会成为目前NAND Flash闪存芯片的替代产品。
据介绍，相变存储技术（phase change memory）基于纳米基线级别的锗（germanium）锑（antimony）碲化物（telluride）原料，并采用低温纳米金属作为化学反应催化剂自然形成纳米基线，其中纳米基线的直径在30～50纳米，长度10微米。
不过虽然在技术和存储密度容量，存储性能方面都能够成为目前NAND Flash最有力的替代者，不过这项技术如果真正转换为商业化量产消耗品的话，估计还要8～10年时间。
