海力士与美国Ovonyx签订PRAM技术授权合同

韩国海力士半导体与拥有新一代半导体内存PRAM（Phase Change RAM，相变存储器）基础技术的美国Ovonyx签订了PRAM技术授权合同。海力士和Ovonyx将从PRAM的技术开发入手，在材料、工艺、设计及制造等多个领域展开合作。

海力士表示，“正式涉足被称为存储器市场新范例的PRAM业务具有重要意义。我们将为PRAM的技术开发和量产做出不断努力”。

根据海力士于7月发布的中长期计划，到2017年销售额的30％以上将由包括PRAM在内的新产品群来实现。