上周(10/15-10/22)现货市场eTT颗粒呈现近几周少见的急涨局面，DDR2 512Mb eTT价格收在1.17美元，涨幅约11.9%；相比之下，品牌颗粒仍呈现平稳走势，上涨至1.37美元，幅度为1.4%。根据集邦科技(DRAMeXchange)分析指出，上周DDR2 eTT的强劲涨势，是因为eTT主要的供货商进行70nm转进，供给量减少，部分买主逢低买进拉抬买气，进而带动价格上扬，因此这波价格上扬主要是短期市场操作结果，而非市场终端需求带动；此外，这波投机性买盘主要集中在DDR2 eTT的颗粒，并没有带动品牌颗粒价格同步上涨。集邦科技预测，接下来几周DDR2 eTT的供给将会大量开出，届时DDR2 eTT也会再回探1美元。
十月是PC出货旺季，也是戴尔(DELL)及惠普(HP)的年底结帐月，两家系统大厂皆希望将零组件库存降低，尤其是价格持续下滑的DRAM。十月上旬DDR2 UDIMM/SODIMM模块合约价已经下降20%，仍难以刺激合约市场的买气，导致十月下旬合约价继续下跌10%。在合约价持续走低的情况下，的确能刺激DRAM集成率的提升，尤其在消费型笔记本电脑中，2GB比率已接近60%；若未来DRAM价格持续下降，年底将有机会增加至70%-80%。
以DRAM厂的成本分析来说，目前70nm制程转进尔必达(Elpida)、三星(Samsung)、海力士(Hynix)仅约20%产出在70nm 1Gb，即使未来在70nm良率高又产能满载的情况下，1Gb颗粒的总成本(含折旧、封测)最低也要2.7-3.0美元；而512Mb颗粒价格为1.7-1.9美元。集邦科技观察，2008年12寸的产能扩张已趋减缓，DRAM 2008年的供给位增长率将由今年的93%大幅下降至近50%；然而在DRAM需求方面，由于今年底消费型笔记本与台式机2GB的集成率将高达七成及六成以上，明年需求成长力道将转向商务型笔记本电脑。
