ONFI工作组目前共有71家会员公司，这次将要公布的2.0版标准将NAND闪存接口的速度提升至133MB/s。当前NAND闪存的接口速度最高只有50MB/s，从而限制了许多闪存的应用，比如固态盘（SSD，Solid State Drive）。在未来的第三代版本中，ONFI计划将NAND的接口速度提升至400MB/s，并将向下兼容现有的NAND闪存接口。
在2007年1月，ONFI发布了1.0版标准，主要的目的在于统一的NAND闪存接口的设计，而现在将要公布的第二版则在此基础上提升了传输速度，并保持与老版接口的兼容性。
ONFI通过两项技术来缩短数据在缓冲区中的交换传输用时。第一就是在DRAM领域里常用的DDR（Double Data Rate，双倍数据流）信号技术。第二，ONFI使用了源同步时钟来精确控制锁存信号，以使其达到更高的工作频率。这样做的好处在于，系统平台的设计者可以利用ONFI的统一命令标准，在构建系统时就将闪存纳入其中，比如将交错寻址与缓存命令相结合，可以进一步提高传输与并行效率。
ONFI 2.0版标准的0.9版草案现在已经开始向ONFI的会员提供，预计在2008年第1季度会提供线上版本。
ONFI表示，未来他们将会关注于用于PC的闪存模组的接口与外形方面的设计，它将会使未来的用户在向PC中增加闪存时就像现在增加内存时那样简便。第三个ONFI标准的版本计划在2009年完成。
《存储时代》评论：外部传输率不等于内部传输率
熟悉硬盘的人都知道，硬盘有两个传输率的概念，一个是缓冲区与接口之间的外部传输率，一个是缓冲区与磁头之间的内部传输率。接口方面，硬盘已经提升到了SATA 3.0Gb/s（300MB/s）的速度，而内部的传输率最高在100MB/s左右。而我们要知道ONFI是一个接口标准，并不能说它提升到133MB/s，内存的实际传输率就真的可以达到这个水平。从硬盘测试中，我们能发现，对于单硬盘来说，SATA 300MB/s相对于150MB/s最大的区别只是突发传输率，可这对于实际的性能并没有什么本质的影响。
目前制约NAND速度的并不是接口速度，而是闪存本身的技术所限制，尤其是写入速度，这对于MLC型的NAND闪存更是致命的弱点。因此接口的改进对它的帮助并不大。所以，对于我们来说，即使133MB/s的接口现在就投入使用，也还不要太乐观。
不过，ONFI已经将一个最大的难题解决，那就是NAND闪存各厂商之间的产品接口不统一的问题（当然，三星与东芝这两个NAND巨头并没有加入ONFI），也为未来的发展辅平的道路，而且我们要再往远了看，高性能的新一代NVRAM也完全可以沿用ONFI。
