2007年在全球NAND型闪存市场格局，大多处于苦苦追赶状况的海力士（Hynix），为了能在2008年与东芝（Toshiba）、三星电子（Samsung Electronics）一较高低，于2007年投入大量研发资源在57纳米制程技术，不过，在量产不到一季度便将提前下台，海力士48纳米制程已确定在2008年第一季度开始量产，这样的进度将比两大龙头厂商——三星及东芝足足快上半年，足见海力士想在2008年扳回一城的决心及气势。
海力士2007年于NAND闪存制程的技术进度，可说完全处于挨打局面，往往竞争对手已转进下一世代量产，海力士却仍仅能采前一世代制程技术与竞争对手力拼，当三星及东芝已纷转进50纳米制程世代时，海力士却只能用60纳米制程技术死守既有客户，这对于海力士而言，可说一直处于不利位置，为此海力士于2007年投入重金研发57纳米制程，誓言要借此抢回部分失去的市占率。
不过，这样进度对于海力士而言，似乎依然无法达到大举抢回市占率的目的，原因在于海力士57纳米制程必须等到2007年12月才能正式投入量产，相较于其他竞争对手在50纳米制程量产时间，均已有一段时间差距，因此，在成本竞争上，海力士恐仍将持续处于挨打局面，为此海力士痛定思痛，加快48纳米制程技术量产，希望在40纳米世代可比竞争对手快，藉以挽回既有市场颓势。
目前海力士48纳米制程已确定可在2008年第一季度进入量产阶段，且初步投片量一举可拉高至约2万片规模，相较于东芝或三星在40纳米制程世代量产时间点，海力士此次确实已扳回一城。半导体业者指出，东芝45纳米制程时间表为2008年第一季度才会有样本出来，而依照正常从样本出来到量产所需时间推算，东芝45纳米制程量产时间可能落在2008年第三季度左右。
同样地，三星旗下的40纳米制程进度与东芝不相上下，半导体业者表示，三星45纳米制程量产时间点也需要等到2008年第三季度，两大厂商40纳米制程世代进度与海力士相比，足足晚了半年左右的时间，这对于海力士而言，无疑将是一大优势。
部分NAND闪存业者认为，海力士宣称48纳米制程将于2008年第一季度便进入量产，这对于东芝与三星来说，确实将会对两大龙头厂商构成重重一击；但也有业者认为，海力士恐怕不太可能如此出乎意料地后来居上，毕竟NAND闪存产品在进入50纳米制程世代量产阶段，便花费各NAND闪存业者相当一段时间，海力士怎么可能在这么短时间内超越两大龙头厂商，成为第一家进入40纳米制程世代量产的NAND闪存业者，因而对此抱持保留态度。
