“进入全球存储器厂商前三强” 力晶举行新工厂动工仪式

ZDNet 存储时代频道 更新时间:2008-04-10 作者:技术在线 来源:

本文关键词:DRAM NAND 半导体

台湾力晶半导体(Powerchip Semiconductor)2008年4月8日为在台湾新竹县工业园内建设的、300mm晶圆存储器新工厂“P4”和“P5”举行了破土动工仪式(英文发布资料)。P4和P5将采用50nm以下工艺生产NAND闪存和DRAM。产能按晶圆投入量换算各为6万枚/月。两工厂的建设总投资额为2500亿元新台币,员工数量预定两工厂合计为3600人。

力晶在新竹工业园内已拥有3家300mm晶圆的工厂。新工厂实现量产后,产能将达到25万枚/月(按300mm晶圆投入量换算),“存储器产量将进入全球前三强”。

用户评论

  • 用户名
  • 评论内容
技术关注
当前技术类目:
闪存本类技术关注比例:
19存储关注排行:193
97企业级技术关注度:97--

存储频道 DRAM 最新报道

存储频道 NAND 最新报道

存储频道 半导体 最新报道

爱卡汽车网 | CNET科技资讯网 | CWEEK | 蜂鸟网 | GameSpot China | 个人电脑 | 开发者在线 | PChome | Solidot | SPN |
投影顾问网 | 万维家电网 | 网友世界 | 西域IT | ZDNet China | 中关村在线 | 中小企业成长网
CNET Networks
Copyright © 1997-2007 CNET Networks 版权所有。 ZDNet 是CNET Networks公司注册服务商标。
中华人民共和国电信与信息服务业务经营许可证编号:京ICP证010391号