需求持续放大，DDR2主要品牌模组维持上涨，市场气氛活跃，金士顿1GB/667补货行为积极，价格出现大幅上涨。尾市市场主要品牌模组1GB DDR2 667价格处于120.00－140.00元之间。DDR1品牌模组呈偏强走势，价格出现小幅上扬，市场气氛平静，较昨日，成交量放大，尾市市场主要品牌模组DDR400 512MB价 格收于110－160元之间。

　　需求好转，DDR1非品牌模组呈上涨走势，市场气氛活跃，部分商家进场意愿明显，但全天价格涨幅有限，成交保持水平位置，尾市HYNIX DDR400 512MB/1GB价格收于：103.00/193.00元附近。

　　UTT方面，受品牌模组大幅上调的影响，今日DDR2模组也涨幅明显，市场气氛活跃，贸易活动积极，尾市UTT DDR2 667 512MB/1GB价格收于：48.00和106.00元附近。DDR1模组继续走强，其中512MB价格出现上涨，其它价格变化不大，尾市UTT DDR400 512MB/1GB价格分别收于：93.00/180.00元附近。

　　今日外围市场DDR400 HYNIX 64*8颗粒需求稳定，全天价格保持平稳走势，尾市DDR400 HYNIX 64*8颗粒价格收于1.63美元附近。HYNIX DDR2 667 64*8颗粒 呈稍偏强走势，少量需求出现，价格小幅上涨，尾市Hynix DDR2 667 64*8颗粒价格收于0.96美元附近。UTT DDR2 64*8颗粒持续上扬，需求尚可，市场气 氛活跃，成交量继续增长，尾市UTT DDR2 64*8颗粒价格收于0.99美元附近。需求强劲，DDR2 1Gb 128MX8 UTT颗粒出现大幅上涨，成交量放大，尾市1GB 128MX8 UTT价格收于2.02美元左右。

　　NAND FLASH方面，需求无明显的好转，今日NAND FLASH持续偏软走势，价格维持下降通道中，较昨日，跌幅空间稍有收窄；目前市场气氛平静，观望气氛甚为浓厚，贸易活动缓慢进行。Samsung 4GB(K9F)/8Gb(K9G)/16GB（K9L）价格分别在￥25.8－27.0/23.8－24.8/39.8-40.5之间；HYNIX 4Gb (ut)/4Gb (uf)/8Gb(UU)/16Gb(uu)价格分别在￥12.6－13.2/23.7-24.5/23.8－24.5/39.5－40.5之间。