DRAM行业的重组终于拉开帷幕。行业第三大厂商德国奇梦达与第四大厂商尔必达内存就合作开发DRAM交换了技术合作备忘录（MOU）。近期将正式签订协议。备忘录内容包括：合作开发40nm工艺以后的DRAM产品；包括设计和工艺技术在内的双方所持知识产权（IP）的自由交叉授权（Free Cross License）。“将来还打算成立合资工厂，共同生产产品，经营统合也在视野之内”（尔必达内存董事兼COO大塚周一）。

尔必达内存和奇梦达的首脑出席了4月24日在都内举行的记者招待会。左起依次为尔必达内存董事兼COO大塚周一、该公司董事兼CTO安达隆郎、奇梦达技术部门高级副总裁Frank Prein、奇梦达日本代表董事社长马场久雄。

　　备忘录规定的合作开发对象是存储单元面积为4F2（F指设计规则）的40～30nm工艺DRAM。尔必达内存将拿出其擅长的堆栈型电容器技术，而奇梦达则将贡献08年2月发布的“Buried Wordline技术”。具体来说，将采用Buried Wordline技术中的金属栅极（及金属字线）技术以及经验，同时实现单元的微细化和布线的低电阻化。在此次合作开发中，两公司将实现工艺技术和设计规则的通用化，因此40nm以后，两公司将能够制造元件构造相同的DRAM。双方均将40nm工艺以后的开发列入此次合作开发计划。

将结合两家公司的技术经验，合作开发存储单元面积为4F2的40nm工艺DRAM。

存储单元面积4F2为现有产品的1/2。可使芯片面积减小30％。

与此次合作的尔必达内存的DRAM开发路线图。

　　此次的合作不仅仅局限于DRAM技术的合作开发。目前双方正在协商不在此次备忘录中的两项深化合作措施。第一，合作开发PRAM（phase change RAM）及MRAM（magnetoresistive RAM）等新一代内存以及硅贯通电极技术。第二，利用合资工厂进行合作生产以及产品的相互生产。成立合资工厂之后，“还可以合作生产40nm上一代的DRAM”（尔必达内存董事兼CTO安达隆郎）。除这两点之外，作为最终形态，“还将探讨经营合并的可行性”（尔必达大塚周一）。

　　尔必达一直把奇梦达作为有力的合作伙伴，但是从工艺通用化角度来看，奇梦达采用的沟道技术估计是双方合作的障碍。由于2月奇梦达发布了堆栈型Buried Wordline技术，因此“障碍已经不复存在”（尔必达安达隆郎）。双方开始进行合作谈判就是奇梦达发布堆栈型Buried Wordline技术之后的“3月份开始的”（尔必达安达隆郎）。